GeTe晶体
材料名称 Name |
GeTe
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性质分类 Electrical properties | 拓扑材料,相变材料
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禁带宽度 Bangap | 0.5 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
Medium |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation | Medium |
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参考文献:
1,Nonaka, Toshihisa, et al. "Crystal structure of GeTe and Ge2Sb2Te5 meta-stable phase." Thin Solid Films 370.1-2 (2000): 258-261.
2,Wiedemeier, Heribert, Eugene A. Irene, and Asim K. Chaudhuri. "Crystal growth by vapor transport of GeSe, GeSe2, and GeTe and transport mechanism and morphology of GeTe." Journal of Crystal Growth 13 (1972): 393-396.
3,Seddon, T., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "An acoustic anomaly at the phase transition in GeTe SnTe alloy single crystals." Solid State Communications 17.1 (1975): 55-57.
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