PbSb2Te4晶体
材料名称 Name |
PbSb2Te4
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性质分类 Electrical properties | 拓扑绝缘体,红外材料,热电材料
Topological Insulators |
禁带宽度 Bangap | 0.279 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
易 Easy |
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参考文献
1,Menshchikova, Tatiana V., Sergey V. Eremeev, and Evgueni V. Chulkov. "Electronic structure of SnSb2Te4 and PbSb2Te4 topological insulators." Applied surface science 267 (2013): 1-3.
2,
Shelimova, L. E., et al. "Thermoelectric Properties of Layered Anisotropic p-type PbSb2Te4 Compound and Peculiarities of its Energy Spectrum." 5th European Conference on Thermoelectrics, Odessa (Ukraine). 2007.
实物照片

晶体结构和能带结构


EDS元素分析

研磨成粉体测试XRD

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