HfS3晶体
材料名称 Name | HfS3
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性质分类 Electrical properties | 拓扑绝缘体,红外材料 Topological Insulators |
禁带宽度 Bangap | 1.119 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
易 Easy |
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参考文献
1,Furuseth, S. I. G. R. I. D., Leif Brattas, and Arne Kjekshus. "Crystal Structures of TiS 3, ZrS 3, ZrSe 3, ZrTe 3, HfS 3 and HfSe 3." Acta Chemica Scandinavica 29 (1975): 623.
2,Tao, You-Rong, et al. "Flexible ultraviolet–visible photodetector based on HfS3 nanobelt film." Journal of Alloys and Compounds 658 (2016): 6-11.
3,Steffensen, A. R. N. E. "On the properties of TiS3, ZrS3, and HfS3." Acta Chem. Scand 17.5 (1963).
实物照片

晶体结构和能带结构


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