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晶体种类: | Semiconductor |
纯度: | >99.999 % |
表征方法: | EDS,SEM,Raman |
bandgap: | 0 eV |
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参考文献:
1, Klipstein, P. C., et al. "Electronic properties of HfTe2." Journal of Physics C: Solid State Physics 19.25 (1986): 4953.
2,Mangelsen, S., et al. "Large nonsaturating magnetoresistance and pressure-induced phase transition in the layered semimetal HfTe 2." Physical Review B 96.20 (2017): 205148.
3,Smeggil, J. G., and S. Bartram. "The preparation and x ray characterization of HfTe2− x, x= 0.061." Journal of Solid State Chemistry 5.3 (1972): 391-394.



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深圳六碳科技有限公司(Six Carbon Technology)生产科研用的二维纳米材料(CVD薄膜,二维晶体材料,超高纯二维粉体材料等),如二硫化钼,二硫化钨,二硒化钼,二硒化钨,石墨烯,六方氮化硼等。也可以根据实验需要提供定制化的产品及其他复合二维材料,可以根据需要定制上述二维薄膜材料的异质结等。