PbBi4Te7晶体
材料名称 Name |
PbBi4Te7
|
性质分类 Electrical properties |
红外半导体,拓扑绝缘体, 热电材料 IR Semiconductor, TI |
禁带宽度 Bangap | 0.4 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
易 Easy |
保存注意事项 Notice | 晶体稳定,不需要特殊保存 Stable |
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参考文献
1,Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Electrical transport properties of SnBi4Te7 and PbBi4Te7 with different deviations from stoichiometry." Journal of Physics D: Applied Physics 34.5 (2001): 700.
2,Shelimova, L. E., et al. "Anisotropic thermoelectric properties of the layered compounds PbSb 2 Te 4 and PbBi 4 Te 7." Inorganic Materials 43.2 (2007): 125-131.
实物照片

晶体结构和能带结构


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