PbBi6Te10晶体
材料名称 Name |
PbBi6Te10
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性质分类 Electrical properties | 拓扑绝缘体,红外材料,热电材料
Topological Insulators |
禁带宽度 Bangap | 0.319 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
易 Easy |
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参考文献
1,Pacile, D., et al. "Deep insight into the electronic structure of ternary topological insulators: A comparative study of PbBi4Te7 and PbBi6Te10." physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 12.12 (2018): 1800341.
2,Pacile, D., et al. "Deep insight into the electronic structure of ternary topological insulators: A comparative study of PbBi4Te7 and PbBi6Te10." physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 12.12 (2018): 1800341.
3,Zemskov, V. S., et al. "Thermoelectric materials based on anion-substituted solid solutions in the Pb, Bi‖ Se, Te ternary reciprocal system." Inorganic Materials: Applied Research 4.2 (2013): 77-84.
实物图片

晶体结构和能带结构

EDS元素分析

XRD物相分析

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