GaGeTe晶体
材料名称 Name |
GaGeTe
|
性质分类 Electrical properties |
拓扑绝缘体,半导体,红外材料,热电材料, TI,Semiconductor,IR |
禁带宽度 Bangap | 0.2 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
易 Easy |
保存注意事项 Notice | 晶体稳定,不需要特殊保存 Stable |
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参考文献:
1, Drasar, C., et al. "Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe." Journal of Solid State Chemistry 193 (2012): 42-46.
2, Wang, Weike, et al. "Ultrathin GaGeTe p-type transistors." Applied Physics Letters 111.20 (2017): 203504.
3,Kucek, Vladimir, et al. "Optical and transport properties of GaGeTe single crystals." Journal of crystal growth 380 (2013): 72-77.
实物照片

晶体结构

能带结构

EDS定性测试元素

研磨成粉体后测试XRD

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深圳六碳科技有限公司(SixCarbon Technology Shenzhen)由一批致力于二维材料工业化的工程师创立于2012年。
公司致力于二维材料制造工艺和制造设备的研发,尤其是基于化学气相沉积法(CVD)技术的工业研发和设备开发。
目前,六碳科技已经是全世界最大的二维材料生产商,通过为研究人员直接提供,或者为经销商代加工方式,提供了全世界所有的商业化二维单层薄膜产品和超过一半的二维晶体产品。
在致力于二维材料工业技术研发的同时,深圳六碳科技同时和学术界优秀团队合作,研发基于二维材料的微电子集成电路工艺技术,推动二维材料的工业化进程。此外,六碳科技也和优秀科研团队合作,致力于最前沿二维产品的设计和工艺研发,推动二维材料的基础科学研究。